多晶硅铸锭炉及控制方法

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN200810055537.2 （22）申请日 2008.08.01

（71）申请人 中国电子科技集团公司第二研究所

地址 030024 山西省太原市和平南路115号

（10）申请公布号 CN101333681B

（43）申请公布日 2012.05.23

（72）发明人 侯炜强;程建平;张金凤;韩栋梁 （74）专利代理机构 山西科贝律师事务所

代理人 陈奇

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

多晶硅铸锭炉及控制方法

（57）摘要

本发明公开了一种多晶硅铸锭炉以及

对该炉的控制方法，多晶硅铸锭炉，包括封闭的炉体(1)、在工作台(8)上活动设置的坩埚(3)、温度传感器(5)、压力传感器(19)、CPU及接口电路，在工作台(8)上活动设置一与提升装置(6)机械连接在一起的罩体(13)，CPU通过接口电路控制罩体(13)内设置的电阻加热丝(9)、炉内气压和罩体(13)的提升量。CPU通过各接口电路实现对多晶硅铸锭炉的自动控制。本发明的多晶硅铸锭炉及控制方法，提高了用硅溶液生长多晶硅时，晶

核排列的同一性和排列密度，使生成的多晶硅的光电转换率大大提高。 法律状态

法律状态公告日

2008-12-31 2008-12-31 2009-02-25 2009-02-25 2012-05-23 2012-05-23 2018-08-21

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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