专利名称：清洁方法和等离子体处理装置专利类型：发明专利发明人：山﨑政宏
申请号：CN202010584866.7申请日：20200624公开号：CN112185790A公开日：20210105
摘要：本发明提供一种清洁方法和等离子体处理装置。清洁方法包括：用含卤素气体的等离子体除去腔室内的典型半导体材料元素组的残渣的步骤；用含烃气体的等离子体除去所述腔室内的第12族和第13族金属元素组以及第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤；和用含氧气体的等离子体除去所述腔室内的含碳物的步骤，在用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤之前或者之后，对用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数X(X≥1)。根据本发明，能够有效地除去腔室内的第12～第16族的元素。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京尚诚知识产权代理有限公司
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