基于铌酸锂-氮化硅晶圆的光电单片集成系统[发明专利]

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专利名称：基于铌酸锂-氮化硅晶圆的光电单片集成系统专利类型：发明专利

发明人：邹卫文,徐绍夫,王静,刘建国申请号：CN202010101420.4申请日：20200219公开号：CN111276562A公开日：20200612

摘要：光电子集成技术作为发挥光子优势的重要技术手段，成为光通信、微波光子等领域的重要支撑技术。然而，现有光电子集成还处在单个芯片实现单种器件的水平，多种器件之间的互连成为极大的技术挑战。本发明提出一种基于铌酸锂‑氮化硅晶圆的光电单片集成系统，利用一种新型晶圆(铌酸锂‑氮化硅晶圆)，实现了包括电光调制器、光子无源器件等在内的多器件单片集成系统。该系统的制备具有硅基CMOS工艺兼容性，可以在多数芯片制造厂商的平台上实现。并且该系统包含了电光调制、无源信号处理、光电探测在内的多个功能模块，可以满足目前多数光电子系统的单片集成。

申请人：上海交通大学,中国科学院半导体研究所

地址：200240 上海市闵行区东川路800号

国籍：CN

代理机构：上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：张宁展

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