3mm (T1) LED, Non Diffused
Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED
LH 3344
Besondere Merkmale
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eingefärbtes, klares Gehäuse
Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologiebesonders hohe LichtstärkeLötspieße mit Aufsetzebenegegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
VEX06711Features
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colored, clear package
double heterojunction in GaAIAs technologyespecially high luminous intensitysolder leads with stand-offavailable taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
TypTypeEmissionsfarbeColor ofEmissionGehäusefarbeColor ofPackageLichtstärkeLuminousIntensityIF = 10mAIV (mcd)63100160250100… 500… 200… 320… 500… 800BestellnummerOrdering CodeLH 3344-QTLH 3344-RLH 3344-SLH 3344-TLH 3344-RUhyper-redred clearQ62703-Q2231Q62703-Q3198Q62703-Q3199Q62703-Q3817Q62703-Q3200Streuung der Lichtstärke in einer VerpackungseinheitIV max /IV min≤ 2.0.Luminous intensity ratio in one packaging unitIV max /IV min≤ 2.0.
Seniconductor Group111.96
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LH 3344
Grenzwerte
Maximum RatingsBezeichnungParameterBetriebstemperaturOperating temperature rangeLagertemperaturStorage temperature rangeSperrschichttemperaturJunction temperatureDurchlaßstromForward currentStoßstromSurge currentt≤ 10µs, D = 0.005SperrspannungReverse voltageVerlustleistungPower dissipationTA≤ 25˚CWärmewiderstandThermal resistanceSperrschicht / LuftJunction / airSymbolSymbolWerteValues–55…+100–55…+100+100400.5EinheitUnit˚C˚C˚CmAATopTstgTjIFIFMVRPtot3120VmWRth JA400K/WSemiconductor Group2
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LH 3344
Kennwerte(TA = 25˚C)CharacteristicsBezeichnungParameterWellenlänge des emittierten LichtesWavelength at peak emissionIF = 20mADominantwellenlängeDominant wavelengthIF = 20mASpektrale Bandbreite bei 50%Irel maxSpectral bandwidth at 50%Irel maxIF = 20mAAbstrahlwinkel bei 50%IV (Vollwinkel)Viewing angle at 50%IVDurchlaßspannungForward voltageIF = 10mASperrstromReverse currentVR = 3VKapazitätCapacitanceVR = 0V,f = 1MHzSchaltzeiten:Switching times:IV from 10% to 90%IV from 90% to 10%IF = 100mA,tP = 10µs,RL = 50SymbolSymbol(typ.)λpeak(typ.)(typ.)λdom(typ.)(typ.)∆λ(typ.)2ϕ(typ.)VF(max.)VF(typ.)IR(max.)IR(typ.)C0WerteValues660EinheitUnitnm645nm22nm251.752.60.011025Graddeg.VVµAµApF(typ.)tr(typ.)tf140110nsnsSemiconductor Group3
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LH 3344
Relative spektrale EmissionIrel=f(λ),TA= 25˚C,IF= 20mARelative spectral emission
V (λ) =spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
AbstrahlcharakteristikIrel=f(ϕ)Radiation characteristic
Semiconductor Group4
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DurchlaßstromIF=f(VF)Forward currentTA= 25˚CZulässige ImpulsbelastbarkeitIF=f(tP)Permissible pulse handling capabilityDuty cycle D = parameter,TA= 25˚CSemiconductor GroupLH 3344
Relative LichtstärkeIV/IV(10mA) =f(IF)Relative luminous intensityTA= 25˚C
Maximal zulässiger DurchlaßstromMax. permissible forward currentIF=f(TA)
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Wellenlänge der Strahlungλpeak=f(TA)Wavelength at peak emissionIF= 20mADurchlaßspannungVF=f(TA)Forward voltageIF= 10mASemiconductor GroupLH 3344
Dominantwellenlängeλdom=f(TA)Dominant wavelengthIF= 20mA
Relative LichtstärkeIV/IV(25°C) =f(TA)Relative luminous intensityIF= 10mA
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LH 3344
MaßzeichnungPackage Outlines(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Anodenkennzeichnung:Anode mark:Kürzerer LötspießShort solder lead
Semiconductor Group7
GEX06717
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