顶栅底接触结构器件及其制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：顶栅底接触结构器件及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：程姗姗,张丛丛,胡文平,王利维,王勇,卢小泉,司珂申请号：CN201811084217.X申请日：20180917公开号：CN1103227A公开日：20191029

摘要：本发明公开了一种顶栅底接触结构器件及其制备方法,全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管，包括：基底、RGO层、semi‑RGO层和GO层，RGO层为多对，每对RGO层为2个且分别作为全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管上一FET的源电极和漏电极，2个RGO层负载在基底上，semi‑RGO层负载在RGO层和该RGO层四周的基底上并作为半导体层，GO层负载在semi‑RGO层上。本发明全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管可满足于提供价廉、无标识并且快速简便的实时检测需求，并且为溶液相检测提供了新思路。该全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管构建的生物传感器可达到同时检测不同种癌症标志物的目的，有效降低了财力物力耗损，提高了传感灵敏度、稳定性和选择性。

申请人：天津大学

地址：300072 天津市南开区卫津路92号

国籍：CN

代理机构：天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)

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