专利名称：非易失性存储器件及其高速缓存编程方法专利类型：发明专利发明人：金有声,朴世泉申请号：CN201110426284.7申请日：20111219公开号：CN102568569A公开日：20120711
摘要：本发明提供一种非易失性存储器件的高速缓存编程方法，包括以下步骤：将当前编程操作的数据编程到存储器单元阵列中；判断当前编程操作是否已执行到编程完成的阈值点；以及在当前编程操作已执行到编程完成的阈值点时接收下一个编程操作的数据。
申请人：海力士半导体有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
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