一种半导体多晶膜沉积装置[实用新型专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种半导体多晶膜沉积装置专利类型：实用新型专利

发明人：孙辉,朱兴华,杨定宇,高秀英,王阳培华,田海波申请号：CN201821078397.6申请日：20180709公开号：CN208414632U公开日：20190122

摘要：本实用新型公开了一种半导体多晶膜沉积装置，包括，一端封底一端开口圆形管状石英玻璃材质腔体；高热导率低放气率耐高温材料制成的，用于安装多晶膜沉积基片衬底支撑板；将基片紧贴安装在衬底支撑板上的衬底夹具；固定衬底支撑基板的支撑杆；监测石英管底部以及基片温度的温度传感器；安装在石英管开口端，用于密封整个石英管腔体以及电、气通路接口零件安装的金属法兰。本实用新型提供的一种半导体多晶膜沉积装置，具有设备条件简单、成本低廉的优点，可以实现参数可控、工艺简化、高重复性的半导体多晶膜沉积。

申请人：成都信息工程大学

地址：610225 四川省成都市西南航空港经济开发区学府路一段24号

国籍：CN

代理机构：重庆信航知识产权代理有限公司

代理人：吴从吾

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