专利名称：具有增大的击穿电压特性的基于沟槽的功率半导体
器件
专利类型：发明专利
发明人：约瑟夫·A·叶季纳科,迪安·E·普罗布斯特,阿肖克·沙拉,
丹尼尔·卡拉菲特
申请号：CN200980149204.9申请日：20091125公开号：CN102246309A公开日：20111116
摘要：本发明公开了具有提供增大的击穿电压和其他益处的特征的示例性功率半导体器件。
申请人：飞兆半导体公司
地址：美国缅因州
国籍：US
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
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