第１９卷第３期 光学精密工程 Ｏｐｔｉｃｓ ａｎｄ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｖｏ【＿１９ Ｎｏ．３ Ｍａｒ．２Ｏ１１ ２０１１年３月 文章编号 １００４—９２４Ｘ（２０１１）０３—０５９３—０５ 毫米波ＭＥＭＳ开关Ｓ参数在开关过程中的瞬态变化 廖小平，肖建斌 （东南大学ＭＥＭＳ教育部重点实验室，江苏南京２１００９６） 摘要：研究了静电执行的电容式并联毫米波ＭＥＭＳ开关的Ｓ参数在开关过程中的瞬态变化。以一个电容式并联毫米波 ＭＥＭＳ开关为实例，采用已有的开关一维力学动态模型，建立了开关过程中开关梁与介质层之间的间隙与时间的关系； 通过ＨＦＳＳ电磁仿真软件，得到开关Ｓ参数在开关过程中的瞬态变化。结果显示，在开关下拉过程中（用时约９．４ ｔｔｓ）， 插入损耗ｓ 先缓慢减小（从Ｕｐ态稳定值一０．２０ ｄＢ缓慢减小到一１．０２ ｄＢ需时９．¨ ｓ，占开关下拉时间的９７ ），但在 下拉时间末段迅速减小；在开关释放过程中（用时约２０ ｓ），Ｓ 在初段就迅速增大（从Ｄｏｗｎ态的稳定值一２０．Ｉ ｄＢ迅速 增加到一１．１６ ｄＢ只需１．０９ Ｓ，占开关释放时间的５．５ ）。结果表明，开关从导通信号到阻隔信号的转换时间约为开 关的下拉时间；开关从阻隔信号到导通信号的转换时间要比开关的释放时间小一个数量级。 关键词：毫米波开关；ＭＥＭＳ开关；Ｓ参数；瞬态变化 文献标识码：Ａ ｄｏｉ：ｉ０．３７８８／ＯＰＥ．２０１１１９０３．０５９３ 中图分类号：ＴＮ６３１ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｓ—ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｆ ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ－ｗａｖｅ ＭＥＭＳ ｓｗｉｔｃｈ Ｉ ＩＡ０ Ｘｉａｏ—ｐｉｎｇ．ＸＩＡ０ Ｊｉａｎ—ｂｉｎ （Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ ＭＥＭＳ，Ｍｉｎｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｅｄｕｃａｔｉｏｎ，Ｓｏｕｔｈｅａｓｔ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａ ｉｎｇ ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｓ—ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｆ ａ ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｓｈｕｎｔ ａｎｄ ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃａｌｌｙ ａｃｔｕａｔｅｄ ｍｉｌｌｉｍｅｔｒｅ— ｗａｖｅ ｓｗｉｔｃｈ ｗｅｒｅ ｒｅｓｅａｒｃｈｅｄ．Ｔｈｅ ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｃｈａｎｇｅ ｏｆ ｔｈｅｓｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｄｕｒｉｎｇ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ ｔｈｅ ｇａｐ ｂｅ— ｔｗｅｅｎ ｓｗｉｔｃｈ ｂｅａｍ ａｎｄ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｌａｙｅｒ ｗａｓ ｄｅｒｉｖｅｄ ｂｙ ａ ｏｎｅ—ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｄｙｎａｍｉｃ ｍｏｄｅｌ ｆｒｏｍ ａ ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ ｐａｐｅｒ．Ｔｈｅｎ，ｔｈｅ ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｃｈａｎｇｅ ｉｎ ｔｈｅ ｇａｐ ｗａｓ ｕｓｅｄ ｆｏｒ ｓｉｍｕｌａｔｉｎｇ ｔｈｅ ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｓ—ｐａ— ｒａｍｅｔｅｒｓ ｄｕｒｉｎｇ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ ＨＦＳＳ ｓｏｆｔｗａｒｅ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ｔｈｉｓ ｍｅｔｈｏｄ ｗａｓ ａｐｐｌｉｅｄ ｔＯ ａ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｓｗｉｔｃｈ． Ｏｂｔａｉｎｅｄ ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｉｎｓｅｒｔｉｎｇ ｌｏｓｓ Ｓ２１ ｄｅｃｒｅａｓｅｓ ｓｌｏｗｌｙ ｕｎｔｉｌ ｔｈｅ ｅｎｄ ｏｆ ｔｈｅ ｐｕｌｌ—ｉｎ ｐｒｏｃｅｓｓ （ｆｒｏｍ ｓｔｅａｄｙ ｖａｌｕｅ一０．２Ｏ ｄＢ ｉｎ Ｕｐ—ｓｔａｔｅ ｔＯ一１．０２ ｄＢ ｏｖｅｒ ９．１１ ｕｓ，９７ ｏｆ ｔｈｅ ｐｕｌｌ—ｉｎ ｔｉｍｅ），ａｎｄ ｉｔ ｉｎｃｒｅａｓｅｓ ｑｕｉｃｋｌｙ ｔｏ ｎｅａｒｌｙ ｔｈｅ ｕｌｔｉｍａｔｅ ｖａｌｕｅ ａｔ ｔｈｅ ｂｅｇｉｎｎｉｎｇ ｏｆ ｔｈｅ ｒｅｌｅａｓｅ ｐｒｏｃｅｓｓ（ｆｒｏｍ ｓｔｅａｄｙ ｖａｌ— ｕｅ一２０．１ ｄＢ ｉｎ ｄｏｗｎ—ｓｔａｔｅ ｔｏ一１．１６ ｄＢ ｏｖｅｒ １．０９“ｓ，５．５ ９／６ ｏｆ ｔｈｅ ｒｅｌｅａｓｅ ｔｉｍｅ）．Ｔｈｅ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｔｉｍｅ ｆｒｏｍ ａ ｐａｓｓｉｎｇ ＲＦ ｓｉｇｎａｌ ｔＯ ａ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ＲＦ ｓｉｇｎａｌ ｉｓ ａｂｏｕｔ ｔｈｅ ｔｉｍｅ ｏｆ ｐｕｌｌ—ｉｎ，ａｎｄ ｔｈｅ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｔｉｍｅ ｆｒｏｍ ａ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ＲＦ ｓｉｇｎａｌ ｔｏ ａ ｐａｓｓｉｎｇ ＲＦ ｓｉｇｎａｌ ｉｓ ｏｎｅ ｏｒｄｅｒ ｏｆ ｍａｇｎｉｔｕｄｅ ｌｅｓｓ ｔｈａｎ ｔｈｅ ｒｅｌｅａｓｉｎｇ ｔｉｍｅ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ—ｗａｖｅ ｓｗｉｔｃｈ；ＭＥＭＳ ｓｗｉｔｃｈ；Ｓ—ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ；ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｃｈａｎｇｅ 收稿日期：２０１０—０３－２６；修订日期：２０１０—０５—０７． 基金项目：国家自然科学基金资助项目（Ｎｏ．６１０７６１０８，６０９７６０９４，６０６７６０４３） ５９４ 光学精密工程 第１９卷 引 言 射频（ＲＦ）ＭＥＭＳ开关以其高隔离度、低插 入损耗、高截止频率和高的线性度等优点备受人 们关注ｒＩ。］。其中，静电执行的ＲＦ ＭＥＭＳ开关 由于功耗低和制造简单等特点已成为研究的热 点。Ｓ参数是衡量ＲＦ ＭＥＭＳ开关电路特性的重 要参数。其中，Ｓ （Ｓ ）表示回波损耗，反映开关 对ＲＦ信号的反射程度；Ｓ。 （Ｓ 。）表示插人损耗， 反映开关对ＲＦ信号的导通程度。若开关处于开 态，ｓ 一般较大（如接近０ ｄＢ），表示导通信号；若 开关处于关态，Ｓ 一般较小（如小于一２０ ｄＢ），表 示阻隔信号。由于静电执行的ＲＦ ＭＥＭＳ的开 关时间较慢（微秒级），因而５参数在开关过程中 也有一个较慢的瞬态变化过程，不能近似为理想 的阶跃变化。只有分析出静电执行的ＲＦ ＭＥＭＳ 开关Ｓ参数在开关过程中的瞬态变化，才能得知 开关如何在阻隔信号和导通信号的状态之间转换 以及转换所需要的时间。目前，对ＲＦ ＭＥＭＳ开 关Ｓ参数的研究都集中在开态和关态两个稳 态［４ ］，而本文则是首次对静电执行的电容式并联 毫米波ＭＥＭＳ开关Ｓ参数在开关过程中的瞬态 变化进行了研究。 ２ 毫米波ＭＥＭＳ开关Ｓ参数在开 关过程中瞬态变化的原理分析 ２．１ 基本原理 电容式并联ＲＦ ＭＥＭＳ开关的结构如图１ 所示。Ｌ表示开关梁的长度； 表示开关梁的宽 度；ｗ表示共面波导（ＣＰＷ）中心导线的宽度。 电容式并联ＲＦ ＭＥＭＳ开关的电路模型ｌ＿６。］ 如图２所示。其中，ｚ。表示与开关相连的传输线 的特征阻抗，ｃ表示开关的梁与中心导线问的电 容，Ｌ 表示开关梁的电感，Ｒ 表示开关梁的串联 电阻。这里，Ｚ。通常取５Ｏ Ｑ。 Ｃ在开关的动态过程中随开关梁的空气间隙 的变化而改变，如式（１）所示。 ’ ｇ Ｌ￡Ｊ十—— ＣＰＷ 图１电容式并联ＲＦ ＭＥＭＳ开关 Ｆｉｇ．１ Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｓｈｕｎｔ ＲＦ ＭＥＭＳ ｓｗｉｔｃｈ 图２ 电容式并联ＲＦ ＭＥＭＳ开关的电路模型 Ｆｉｇ．２ Ｃｉｒｃｕｉｔ ｍｏｄｅｌ ｏｆ ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｓｈｕｎｔ ＲＦ ＭＥＭＳ ｓｗｉｔｃｈ 其中，ｇ表示开关梁与介质层的空气间隙的高度， ｄ 表示介质层的厚度，ｅ 表示介质层的相对介电 常数，ｅ。表示真空介电常数。 开关梁的电路模型的阻抗为 Ｚｂ壶＋ｊｒｏＬｓ＋Ｒ ｓ－ （２） 开关的Ｓ参数可以表示为 Ｊ『 Ｓｌ１一ｓ ＝＝＝Ｚ蕊ｌ－Ｚ０ ｌ ｓ。 ＝￣７１＋￥２２． ｃｓ， ｒ７ ｂ 。 ｌ厶 』～—Ｚ￣＋—Ｚｏ 从式（１）～（３）可知，在开关过程中，由于Ｃ 随ｇ变化，开关电路模型的阻抗发生变化，最终 使开关的５参数也发生瞬态变化。 ２．２开关力学动态模型 从上述分析可知，要研究ＲＦ ＭＥＭＳ开关Ｓ 参数在开关过程中的瞬态变化，必需得知开关位 移的瞬态变化。 目前，对开关动态的研究较多的采用一维集 总模型 引。图３给出了电容式ＭＥＭＳ开关一维 集总模型的示意图。其中，是为开关梁的弹性系 第３期 廖小平，等：毫米波ＭＥＭＳ开关Ｓ参数在开关过程中的瞬态变化 ５９５ 数， 为开 梁 ，【，为开关的静电驱动电 压， 为开关梁的位移。． 图３ 电容式ＲＦ ＭＥＭＳ开关一维集总模型 Ｆｉｇ．３ Ｉ ｕｍｐｅｄ ｍｏｄｅｌ ｏｆ ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｓｈｕｎｔ ＲＦ ＭＥＭＳ ｓｗｉｔｃｈ 本文采用文献［８］提出的一维动态集总模型， 如式（４）所示。其中， 为开关梁的有效质量，大 小为０．４９２ｍ；Ｆ 表示开关静电驱动力； 表示开 关梁的厚度；Ｅ表示开关梁的杨氏模量；ｖ表示开 关梁的泊松比；Ｓ 表示开关梁的残余应力；ｇ。表 示开关梁的原始间隙；ｂ表示阻尼系数；Ｑ 表示 开关梁的品质因素； 表示空气分子平均自由程。 ｂ与ｇ有关，因此开关梁的振动是变阻尼的。对 于电容式并联开关，开关从开态到关态的过程就 是开关下拉的过程，即从Ｕｐ态到Ｄｏｗｎ态；开关 从关态到开态的过程就是开关释放的过程，即从 Ｄｏｗｎ态到Ｕｐ态。在计算过程中，开关采用常 见的驱动方法，在开关下拉过程所加的驱动电压 恒定，开关释放过程开关驱动电压为０ Ｖ。 帆 ＋６ ∽一 Ｆ一一 （』 ２ ｇ ＋／ｏ ｄｏ－ｅ －ｘ（ｔ） ） ，－Ｆ￣Ｎａ１０ ． ，释放阶段 ｋ＝Ｌｗ・（ 二 ３ ２Ｅ—ｎａ 十ｗ。）￣８ｚ＆Ｌｗ（１－一ｖｗ） ｎ） ＾一 （¨一（ ） ）。 （４） 开关梁的Ｑ 可以由式（５）求得＿９。 。其中，ｐ 为梁的密度， 为空气的黏度，这里取标准大气压 和温度（ＳＰＴ）下理想气体的黏度值１．８４５×１０ Ｐａ・Ｓ。本文假设开关工作在ＳＰＴ下。 Ｑ 一 １＋９．６３８（ ） ¨。） ｇｉ， （５） ２．３ 开关实例 本文利用ＨＦＳＳ电磁仿真软件，以一个电容 式并联毫米波ＭＥＭＳ开关作为实例进行模拟分 析，如图４所示。开关的衬底材料为砷化镓 （ＧａＡｓ），厚度为１００ ｎｍ。开关的介质层材料为 氮化硅（ＳｉＮ）。ＣＰＷ和梁的材料为金（Ａｕ）。开 关工作在３５ ＧＨｚ时，仿真结果为Ｕｐ态Ｓ 一 一１９．１ ｄＢ，Ｓ２１一一０．２Ｏ ｄＢ；Ｄｏｗｎ态Ｓ１ｌ一 一０．２１ ｄＢ，Ｓ 一一２Ｏ．１ ｄＢ。开关的具体参数如 表１所示。 图４电容式并联毫米波ＭＥＭＳ开关 Ｆｉｇ．４ Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｓｈｕｎｔ ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ—ｗａｖｅ ＭＥＭＳ ｓｗｉｔｃｈ 表１开关的具体参数 Ｔａｂ．１ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｆ ｓｗｉｔｃｈ 参数 值 梁的长度Ｌ／ ｍ 梁的宽度ｗ／ｔ￣ｍ 梁的厚度ｎ／ｔａｍ ＣＰＷ中心导线宽度Ｗ／ｐ．ｍ 梁的原始间隙ｇｏ／ 开关介质层的厚度ｄ。／ ｍ 金的密度ｐ／（ｇ・ｃｍ ） 金的杨氏模量Ｅ／ＧＰａ 金的泊松比 梁的残余应力Ｓｒ／ＭＰａ 真空介电常数ｅ。／（Ｆ・ｍ ） 开关介质层的相对介电常数ｅ ＳＰＴ下空气分子自由程Ａ／ ｍ 开关的工作频率ｆ／ＧＨｚ 开关下拉的驱动电压Ｕ／Ｖ 枷５９６ 光学精密工程 第１９卷 １．Ｏ２ ｄＢ需时９．１１ ｓ，占开关下拉时间的 ３ 毫米波ＭＥＭＳ开关Ｓ参数在开 ９７ ；Ｓ 在下拉过程的时间末段才迅速减小：从 关过程中的瞬态变化的结果分析 首先，利用式（５）可以计算出上述开关梁的品 质因素Ｑｅ仃一１．２（ｇ一１．６ ｍ）。根据公式（４），利 用ＭＡＴＬＡＢ软件可以计算出开关过程中梁的空 气间隙变化。可以发现，开关下拉时间的计算结 果约为９．４ ｙｓ（图５），开关的释放时间的计算结 果约为２Ｏ ｓ（图６）。释放时间较大是由梁的振 荡引起的。 利用上述开关过程中梁空气间隙与时间的变 化关系，再结合ＨＦＳＳ软件模拟得到的在不同的 梁空气间隙条件下开关的ｓ参数，可以得到开关 Ｓ参数在开关过程中的瞬态变化。 ｔｌｇｓ 图５开关下拉过程，开关梁的空气间隙的变化 Ｆｉｇ．５ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ ｏｆ ａｉｒ ｇａｐ ｏｆ ｓｗｉｔｃｈ’ｓ ｂｅａｍ ｄｕｒｉｎｇ ｐｕｌｌ—ｉｎ 图６开关释放过程，开关梁空气间隙的变化 Ｆｉｇ．６ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ ｏｆ ａｉｒ ｇａｐ ｏｆ ｓｗｉｔｃｈ’Ｓ ｂｅａｍ ｄｕｒｉｎｇ ｒｅｌｅａｓｅ 通过模拟可以发现，开关在下拉过程中，Ｓ 先缓慢的减小：从ｕｐ态稳定值一０．２Ｏ ｄＢ减小到 １．０２ ｄＢ减小到Ｄｏｗｎ态稳定值一２０．１ ｄＢ只 需０．２９ ｙｓ，占开关下拉时间的３ ，如图７所示。 这表明在开关下拉过程中，开关大部分时间都导 通信号，当开关的梁接近或接触介质层时才能有 效地阻隔信号。在开关释放的过程中，ｓ 在释放 过程的初段就迅速增大：从Ｄｏｗｎ态的稳定值一 ２Ｏ．１ ｄＢ增加到一１．１６ ｄＢ只需１．０９ ｓ，占释放 时间的５．５ ，而从一１．１６ ｄＢ到Ｕｐ态的稳定值 一０．２０ ｄＢ则需时１８．９１ ｓ，占释放时间的 ９４．５ ；同时可以发现，梁从振荡衰减到稳态需要 较长的时问。但是，梁的振荡对Ｓ 影响很小（只 引起０．１ ｄＢ的变化），如图８所示。因此开关从 阻隔信号到导通信号所需要的时间比开关释放时 间小一个数量级。 ０ ５ ｔ＝９．１１ ｇｓ／ ’ ｌ—１．０２ ｄＢ ∞一ｌ０ １５ ２０ Ｏ ２ ４ ６ ８ ｌ０ ｔ／ｇｓ 图７开关下拉过程，开关ｓ参数的瞬态变化 Ｆｉｇ．７ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｓ—ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｆ ｓｗｉｔｃｈ ｄｕｒｉｎｇ ｐｕｌｌ—ｉｎ ∞ 图８开关释放过程，开关ｓ参数的瞬态变化 Ｆｉｇ．８ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｓ—ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｆ ｓｗｉｔｃｈ ｄｕｒｉｎｇ ｒｅｌｅａｓｅ ４ 结 论 本文采用一个电容式并联毫米波ＭＥＭＳ开 第３期 廖小平，等：毫米波ＭＥＭＳ开关Ｓ参数在开关过程中的瞬态变化 ５９７ 关首次模拟了Ｓ参数在开关过程中的瞬态变化。 结果发现，在开关下拉过程中，Ｓｚ 先缓慢减小：从 Ｕｐ态稳定值一０．２０ ｄＢ减小到一１．Ｏ２ ｄＢ需时 ９．１１“ｓ，占下拉时间的９７ ；Ｓ 在下拉过程的时 间末段才迅速减小：从一１．０２ ｄＢ减小到Ｄｏｗｎ 态稳定值一２０．１ ｄＢ只需０．２９ ，占开关时间的 参考文献： Ｅｌｉ ＪＡＮＧ Ｙ Ｈ．ＬＥＥ Ｙ Ｓ，ＫＩＭ Ｙ Ｋ，ｅｔ ａ１．．Ｈｉｇｈ ｉ ｓｏｌａｔｉｏｎ ＲＦ ＭＥＭＳ ｃｏｎｔａｃｔ ｓｗｉｔｃｈ ｉｎ Ｖ—ａｎｄ Ｗ ｂａｎｄｓ ｕｓｉｎｇ ｔｗｏ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｍｏｔｉｏｎｓ［Ｊ］．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０１Ｏ，４６（２）：１５３—１５４． Ｅ２］ ＣＨＡＮ Ｋ Ｙ，ＲＡＭＥＲ Ｒ．Ａ ｎｏｖｅｌ ＲＦ ＭＥＭＳ ｓｗｉｔｃｈ ｗｉｔｈ ｎｏｖｅｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｍｏｄｅｌｉｎｇ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃｓ ａｎｄ Ｍｉｃｒｏｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２０１０，２Ｏ （１）：卜９． ［３］ Ｇ０ＮＧ Ｓ Ｂ，ＳＨＥＮ Ｈ，ＢＡＲＫＥＲ Ｎ Ｓ．Ｓｔｕｄｙ ｏｆ ｂｒｏａｄｂａｎｄ ｃｒｙｏｇｅｎｉｃ ＤＣ—ｃｏｎｔａｃｔ ＲＦ ＭＥＭＳ ｓｗｉｔ— ｃｈｅｓ［Ｊ］．ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ Ｏｎ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ，２００９，５７（１２）：３４４２—３４４９． ［４］ ＭＵＩ ＤＡＶＩＮ Ｊ Ｂ，ＲＥＢＥＩＺ Ｇ Ｍ．Ｈｉｇｈ－ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｃＰＷ ＭＥＭｓ ｓｈｕｎｔ ｓｗｉｔｃｈｅｓ—ｐａｒｔ １：ｍｏｄｅｌｉｎｇ Ｅ Ｊ］． １ＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍｉｅｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ，２０００，４８（６）：１０４５—１０５２． Ｅ５］ ＱＩＡＮ Ｊ，ＣＨＡＮＧ Ｈ Ｐ，ＣＥＴＩＮＥＲ Ｂ Ａ，ｅｔ ａ１．． ＲＦ ＭＥＭＳ ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｓｗｉｔｃｈ ｗｉｔｈ ｈｉｇｈ— ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ａｔ ｓｅｌｅｃｔｅｄ ｌｏｗ—ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｅ Ｊ］． Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ａｎｄ ０ｐｔｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２００７， 作者简介 廖小平（１９６６一），男，湖南衡阳人，教 授，博士生导师，１９９８年于东南大学获 得博士学位，主要从事ＲＦ ＭＥＭＳ的 研究。Ｅ—ｍａｉｌ：ｘｐｌｉａｏ＠ｓｅｕ．ｅｄｕ．ｃｎ ３％。在开关释放过程中，Ｓｚ 在过程的初段就迅 速增大：从Ｄｏｗｎ态的初值一２０．１ ｄＢ增加到一 １．１６ ｄＢ只需１．０９ Ｓ，占释放时间的５．５ 。因 此，开关从导通信号到阻隔信号的转换时间约为 开关的下拉时问；开关从阻隔信号到导通信号的 转换时间要比开关的释放时间小一个数量级。 ４９（３）：７０２ ７０６． ［６］ ＳＩＭＩＯＮ Ｓ．Ｍｏｄｅｌｉｎｇ ａｎｄ ｄｅｓｉｇｎ ａｓｐｅｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ＭＥＭＳ ｓｗｉｔｃｈ［Ｃ］．２００３ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｃｏｎ｝ｅｒ ｅｎｃｅ，Ｖｌ０２５ ｌ ａｎｄ ２，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ．２００３：１２５—１２８． ［７］ ＢＵＣＣＥＬＬＡ Ｃ，ＦＥＩ ＩＺＩＡＮＩ Ｍ，ＭＡＮＺ１ Ｇ．Ｃｉｒｃｕｉｔ ｍｏｄｅｌｉｎｇ ｏｆ ＲＦ ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ＭＥＭｓ ｓｗｉｔｃｈ［Ｃ］．Ｐｒｏ— ｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｉｎｄ“ｓｔｒｉａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ２００５，２００５：１１ １７—１１２１． Ｅ８］ ＹＵＡＮ Ｘ Ｉ ，ＨＵＡＮＧ Ｑ Ａ，Ｉ ＩＡ０ Ｘ Ｐ．Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｏｆ ａ ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ＲＦ ＭＥＭｓ ｓｗｉｔｃｈ ｄｕｒｉｎｇ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ［Ｊ］．Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ——Ｍｉｃｒｏ——ａｎｄ Ｎａｎｏｓｙｓｔｅｍｓ—。Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｔｏｒａｇｅ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ，２００８，１４（３）：３４９— ３６Ｏ． Ｅ９］ ＨＯＷＥ Ｒ Ｔ，ＭＵＬｌ ＥＲ Ｒ Ｓ．Ｒｅｓｏｎａｎ ｍｉｃｒｏｂｒｉｄｇｅ ｖａｐｏｒ ｓｅｎｓｏｒ Ｅ Ｊ］．ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ０ｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，１ ９８６。３３（４）：４９９—５０６． ［１Ｏ］ ＶＥＩＪＯＬＡ Ｔ，ＫＵＩＳＭＡ Ｈ，ＬＡＨＤＥＮＰＥＲＡ Ｊ． Ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｇａｓ ｆｉｌｍ ｄａｍｐｉｎｇ ｉｎ ａ ｓｉｌｉｃｏｎ ａｃｃｅｌｅｒｏｍｅｔｅｒ Ｅｃ］．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎ｛ｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ，Ｖｏ１．２．，１９９７： １Ｏ９７—１１ＯＯ． 肖建斌（１ ９８４一），男，广东肇庆人，硕士 研究生，２００７年于华南理工大学获得 学士学位，主要从事ＲＦ ＭＥＭＳ的研 究。Ｅ－ｍａｉｌ：ｊｉａｎｂｉｎｘｉｏｎｇ＠ｔｏｍ．ｃｏｒｎ
