从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法[发明专利]

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专利名称：从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法专利类型：发明专利

发明人：元金山,张富文,李向文申请号：CN00103907.5申请日：20000229公开号：CN1311343A公开日：20010905

摘要：本发明属于液相外延制备Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电子材料领域,涉及一种对从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法的改进。在废镓中加入浮游剂去除废镓中的铝杂质;利用高温高真空去除废镓中的Zn、As、Te等蒸气压高的杂质。用本发明回收高纯金属镓的杂质含量小于3μg/g,用其生产的外延片的基本参数与采用日本进口高纯镓一致。对液相外延后的废液回收和再利用大幅度降低LED成本,是保证GaAlAsLED实现国产化的关键技术。

申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

地址：130022 吉林春市人民大街140号

国籍：CN

代理机构：中国科学院长春专利事务所

代理人：梁爱荣

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