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一种具有异质埋层的RF LDMOS器件

来源：榕意旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）实用新型专利

（21）申请号 CN201420417035.0 （22）申请日 2014.07.28

（71）申请人昆山华太电子技术有限公司

地址 215300 江苏省苏州市周庄镇秀海路188号

（10）申请公布号 CN204118076U

（43）申请公布日 2015.01.21

（72）发明人刘正东;曾大杰;张耀辉

（74）专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人范晴

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种具有异质埋层的RF LDMOS器件

（57）摘要

本实用新型公开了一种具有异质埋层

的 RF LDMOS 器件，本实用新型在传统的器件结构基础上，在高掺杂衬底和外延层之间加入异质埋层，该异质埋层与高掺杂衬底和外延层具有相反的掺杂类型，源端金属引线与高掺杂衬底之间通过导电沟槽相连接，导电沟槽穿过异质埋层与高掺杂衬底相接触。本实用新型的 RF LDMOS 器件由于异质埋层对高掺杂衬底和外延层的耗尽作用，降低了管芯的损耗，是管芯能方便地与无

源元件集成，有助于降低封装管内匹配电路的难度，同时芯片可进一步减薄，改善散热性能。

法律状态

法律状态公告日

2015-01-21 2015-01-21 2019-05-17

法律状态信息

授权授权

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

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权利要求说明书

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说明书

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