专利名称：垂直腔面发射激光器及制造垂直腔面发射激光器的
方法
专利类型：发明专利
发明人：藤井慧,住友隆道,有方卓申请号：CN201910807121.X申请日：20190829公开号：CN110875573A公开日：20200310
摘要：本发明涉及一种垂直腔面发射激光器，包括：有源层，其包括量子阱结构，量子阱结构包括一个或多个阱层，阱层包括含有铟来作为III族构成元素的III‑V化合物半导体；上层叠区域，其含有碳掺杂剂；以及基板，其用于安装包括有源层和上层叠区域的柱体，其中，有源层设置在上层叠区域与基板之间，量子阱结构的碳浓度为2×10cm以下，并且上层叠区域包括在远离有源层的位置处的铟堆积层。
申请人：住友电气工业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
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