一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器

来源：榕意旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201210061698.9 （22）申请日 2012.03.09 （71）申请人北京工业大学

地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

（10）申请公布号 CN102593719A

（43）申请公布日 2012.07.18

（72）发明人崔碧峰;计伟;陈京湘;郭伟玲;张松;王晓玲（74）专利代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人刘萍

（51）Int.CI

H01S5/22;

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器

（57）摘要

一种改善有源区光场分布的边发射半导体

激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散

热基座上。此结构中脊形台两侧光栅结构的引入改善了有源区光场分布，抑制了注入电流的横向扩展，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。

法律状态

法律状态公告日

2012-07-18 2012-09-19 2014-07-16

法律状态信息

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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