专利名称：TFT阵列基板及其制作方法专利类型：发明专利发明人：龙芬
申请号：CN201911361094.4申请日：20191225公开号：CN111129037A公开日：20200508
摘要：本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法，对于所述制作方法，首先形成源极和漏极，再以源极和漏极边缘作为掩膜对半导体层进行图案化处理以形成非晶硅岛，可使得非晶硅岛的边缘与源极的边缘及漏极的边缘切齐，完全去除了裸露在金属层外的半导体层，可有效降低TFT器件光电敏感性，缩小了非晶硅岛面积，进而缩小了TFT器件尺寸，有利于节省版图，同时可简化工序。
申请人：TCL华星光电技术有限公司
地址：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
国籍：CN
代理机构：深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人：吕姝娟
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