一种二氧化铪涂层及其制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种二氧化铪涂层及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：胡昌义,魏燕,蔡宏中,周利民,陈力,郑旭,张诩翔,崔浩,

柳森,刘少鹏,张贵学

申请号：CN201810972105.1申请日：20180824公开号：CN109112501A公开日：20190101

摘要：本发明提供一种二氧化铪涂层及其制备方法，属于涂层制备领域。本发明中，原料铪的氯化反应与HfO涂层的化学气相沉积反应过程简单，HfO涂层沉积速率大幅提高至30μm/h以上，且不会带来杂质污染；化学气相沉积反应可在预热后的待沉积基体的所有表面发生，可同时实现难熔金属复杂器件内外表面涂层的均匀沉积；CVD沉积是通过化学反应原位产生HfO分子，HfO分子逐个堆积形成涂层，涂层密度超过其理论密度的99％；HfO涂层的生长选择热力学能量最低的方向，涂层形成了择优取向的织构组织，使涂层的辐射系数提高至0.90以上，高温散热性能优良。

申请人：贵研铂业股份有限公司

地址：650000 云南省昆明市高新技术产业开发区科技路988号

国籍：CN

代理机构：北京高沃律师事务所

代理人：刘奇

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