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半导体散热结构及其形成方法、半导体芯片

来源：榕意旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN201210312996.0 （22）申请日 2012.08.29

（71）申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

（10）申请公布号 CN103633039B

（43）申请公布日 2017.02.08

（72）发明人甘正浩;徐依协

（74）专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司

代理人骆苏华

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

半导体散热结构及其形成方法、半导体芯片

（57）摘要

本发明提供了一种半导体散热结构及

其形成方法、半导体芯片，其中所述半导体散热结构包括：贯穿半导体衬底的通孔，所述通孔内填充有导热材料，且所述通孔周围形成有器件结构。所述半导体芯片包括：至少两个层叠设置的衬底，每一衬底内均形成有器件结构，相邻设置的两个衬底之间具有焊垫结构，所述焊垫结构位于其中一衬底的表面上，与该衬底内的器件结构电连接，另一衬底内具有穿透硅通孔，与所述焊垫结构电连接；以及至少有一个衬底中形成有通

孔，所述通孔贯穿其所在的衬底，且所述通孔内填充有导热材料，用于散热。所述半导体散热结构和半导体芯片中的通孔能够减少热量在芯片内部的横向传递，及其减小热量的导出路径，从而提高散热效率。法律状态

法律状态公告日2014-03-12 2014-04-09 2017-02-08

法律状态信息

公开

实质审查的生效授权

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公开

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权利要求说明书

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说明书

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