专利名称：鳍轮廓结构及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：张家维,刘志方,彭治棠,黄泰钧,陈嘉仁申请号：CN201210568480.2申请日：20121224公开号：CN103296085A公开日：20130911
摘要：一种FinFET器件可以包括与第二半导体鳍横向相邻的第一半导体鳍。第一半导体鳍和第二半导体鳍可以具有用于使缺陷和变形最少的轮廓。第一半导体鳍包括上部和下部。第一半导体鳍的下部可以具有在底部比第一半导体鳍的上部更宽的扩口轮廓。第二半导体鳍的下部可以具有比第二半导体鳍的上部更宽、但是比第一半导体鳍的下部更小的扩口轮廓。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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