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一种局域电场增强忆阻器及其制备方法[发明专利]

来源:榕意旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种局域电场增强忆阻器及其制备方法专利类型:发明专利发明人:李祎,李灏阳,缪向水申请号:CN201810485851.8申请日:20180521公开号:CN108565338A公开日:20180921

摘要:本发明公开了一种局域电场增强忆阻器及其制备方法,所述忆阻器包括:下电极、功能层和上电极,所述功能层夹在上电极和下电极之间形成三明治结构,所述下电极上侧具有中轴对称的矩形突起;所述上电极下侧与所述下电极形状互补。本发明与现有技术相比,利用纳米压印结合ALD的方式制备得到器件,通过ALD保形性的特点,使得上下电极都具有突起的结构。由于其边缘棱处的局域电场相较于上电极其他部位强度有较大差异,而ALD制备的功能层存在的缺陷较少,导电丝形成位置的随机性大大降低,从而提高器件的一致性与稳定性;同时由于纳米压印可反复使用,极大的降低了制备的难度与成本。

申请人:华中科技大学

地址:430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

国籍:CN

代理机构:华中科技大学专利中心

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