一种局域电场增强忆阻器及其制备方法[发明专利]

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专利名称：一种局域电场增强忆阻器及其制备方法专利类型：发明专利发明人：李祎,李灏阳,缪向水申请号：CN201810485851.8申请日：20180521公开号：CN108565338A公开日：20180921

摘要：本发明公开了一种局域电场增强忆阻器及其制备方法，所述忆阻器包括：下电极、功能层和上电极，所述功能层夹在上电极和下电极之间形成三明治结构，所述下电极上侧具有中轴对称的矩形突起；所述上电极下侧与所述下电极形状互补。本发明与现有技术相比，利用纳米压印结合ALD的方式制备得到器件，通过ALD保形性的特点，使得上下电极都具有突起的结构。由于其边缘棱处的局域电场相较于上电极其他部位强度有较大差异，而ALD制备的功能层存在的缺陷较少，导电丝形成位置的随机性大大降低，从而提高器件的一致性与稳定性；同时由于纳米压印可反复使用，极大的降低了制备的难度与成本。

申请人：华中科技大学

地址：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

国籍：CN

代理机构：华中科技大学专利中心

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