成膜方法和成膜装置[发明专利]

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专利名称：成膜方法和成膜装置专利类型：发明专利

发明人：高木聪,北村和也,蔡秀林申请号：CN202011002086.3申请日：20200922公开号：CN1125822A公开日：20210330

摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够将半导体膜选择性地形成于氮化膜和氧化膜中的氮化膜。成膜方法包括以下工序：对露出氮化膜的区域与露出氧化膜的区域相邻的基板供给含氟气体，使氟形成于所述基板，并且选择性地蚀刻所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜，使所述氮化膜的表面相对于所述氧化膜的表面凹陷来在所述氧化膜的侧面形成台阶面；以及在使氟吸附于所述基板并且形成所述台阶面的工序之后，对所述基板供给包含半导体材料的原料气体，将半导体膜选择性地形成于所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜。

申请人：东京毅力科创株式会社

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：刘新宇

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